Большая техническая энциклопедия
2 4 7
D L N
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
ХА ХИ ХЛ ХО ХР

Характеристическая проводимость

 
Характеристическая проводимость g диодного преобразователя частоты является очень важным его параметром. Зная ее, можно решить все основные задачи, относящиеся к согласованию преобразователя частоты с предыдущим и последующим каскадами приемника.
Характеристические проводимости [ формула ( 114) ] могут рассматриваться как входные функции.
Выразим характеристические проводимости Уб.
Зная четыре характеристические проводимости транзистора, снятые экспериментально в зависимости от частоты или подсчитанные с помощью формул ( 70), можно использовать их при анализе или расчете усилителей, работающих на высоких частотах. При этом эквивалентная схема транзистора на высоких частотах не нужна. Она представляет интерес лишь на первом этапе изучения и применения транзисторов, так как способствует лучшему пониманию физических процессов, происходящих в усилителе на высоких частотах, и некоторой наглядности расчета.
Недостатком представления характеристических проводимостей в виде эквивалентов является то, что величины элементов активных сопротивлений, емкостей и индуктивностей зависят от частоты.
Мнимая часть выходной характеристической проводимости на той же частоте предполагается малой или рассматривается как составная часть фильтра.
K называются характеристическими проводимостями транзистора и являются низкочастотными У-пара-метрами для схемы включения его с общим эмиттером, которые определяются по статическим характеристикам или измеряются на низких частотах в режиме короткого замыкания на выходе и на входе.
Предположим, что характеристические проводимости G6 6 G6 K, GK б и GK K обоих транзисторов определены в схеме с общим эмиттером.
Допустим, что характеристические проводимости Кб.б. Уб. К обоих транзисторов в схеме включения с общим эмиттером известны.
Второй способ представления характеристических проводимостей заключается в моделировании характеристических проводимостей транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером. Этот метод основан на подборе, обычно при помощи мостовых схем, такой комбинации активных сопротивлений, емкостей и индуктивностей, полная проводимость которой имеет такую же зависимость от частоты, как и исследуемая характеристическая проводимость транзистора. Применяя данный метод, можно определить величины элементов эквивалентов на основании измерений и использовать их в качестве основных расчетных параметров транзистора.
Определим сначала приращения характеристических проводимостей первого ( I) трехполюсника.
В диапазоне низких частот характеристические проводимости следует считать чисто активными. Проводимость Уси, определяемая емкостью Ca.
Эквивалентный четырехполюсник. Следовательно, в прямо-отсчетные измерения характеристических проводимостей заложена необходимость задавать напряжения и измерять токи. При этом преимуществом является то, что не требуется наличия источников сигнала с большим внутренним сопротивлением ( генераторов тока), а неудобство состоит в том, что приходится измерять ток короткого замыкания в низкоомной цепи.
Затем производятся линейные преобразования матриц характеристической проводимости цепей / и / / для получения удобных для реализации значений нормированных собственных емкостей между стержнями. Ход расчета фильтра поясняется на примере.

Рассмотрим случай, когда приращение получила характеристическая проводимость транзистора Кк.
Наклон этой прямой, зависящий от характеристической проводимости о, в значительной степени определяет форму напряжений и токов в схеме при формировании вершины импульса.
Каскодная схема включения транзисторов. Заменяя оба транзистора эквивалентным четырехполюсником с характеристическими проводимостями УШКЕ, У12экв, У21ЭКВ, У22экв, находим выражения, связывающие последние с У-параметрами транзистора, включенного по схеме с ОЭ, которые на высоких частотах зависят от частоты и выражаются комплексными числами.
Построение семейства анодных характеристик по семейству анодно-сеточиых характеристик. & имеют размерность проводимостей и называются характеристическими проводимостями триода.
Здесь штрихи указывают на то, что характеристические проводимости относятся ко второму транзистору.
При рассмотрении работы лампы на высоких частотах характеристические проводимости лампы из-за наличия ре-активностей ( включая междуэлектродные емкости) становятся комплексными величинами.
Выбор того или иного способа представления зависимости характеристических проводимостей от частоты определяется простотой и точностью измерений, а также удобством использования при расчетах.
Эквивалентные схемы диода. Коэффициенты в частных производных в этих выражениях ( характеристические проводимости лампы) служат статическими параметрами.
Второй способ представления характеристических проводимостей заключается в моделировании характеристических проводимостей транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером. Этот метод основан на подборе, обычно при помощи мостовых схем, такой комбинации активных сопротивлений, емкостей и индуктивностей, полная проводимость которой имеет такую же зависимость от частоты, как и исследуемая характеристическая проводимость транзистора. Применяя данный метод, можно определить величины элементов эквивалентов на основании измерений и использовать их в качестве основных расчетных параметров транзистора.
Коэффициенты уяс и аа имеют размерность проводимостей и называются характеристическими проводимостями или у-пара-метрами триода.
Для графического представления необходимо снять зависимости модуля и фазы всех характеристических проводимостей от частоты.
Схемы вершинных измерений - с помощью двух сдвоенных электродов ( а, одним сдвоенным и другим одиночным ( б.
Пусть элементы ft f ( 4, о) имеют разные длины и одинаковые характеристические проводимости, тогда fjf2 f ( A h, ), т.е. при последовательном соединении получается клетка суммарной длины, имеющая ту же характеристическую проводимость.
Распределенные реактивности.| Векторная диаграмма, иллюстрирующая влияние индуктивности катодного ввода. Это влияние сказывается как в холодной лампе, когда за счет индуктивностей изменяются реактивные составляющие характеристических проводимостей, так и в горячей лампе, когда из-за сдвига фаз между током и напряжением на индуктивности могут измениться также и активные составляющие проводимостой.
В этом случае усилитель согласован на очень низких частотах, a Gfl2 является выходной полной характеристической проводимостью на этих частотах.
Величины ( / АС, / АД, Усе и УСА называют у-парамет-рами триода или характеристическими проводимостями. Таким образом, для определения параметров триода используется система ( / - параметров.
На основании формул ( 342) и ( 343), в которых активная и реактивная составляющие характеристических проводимостей транзистора Убки УК к выражены через элементы эквивалентов, сравнительно просто найти параметры элементов нейтродинной цепи, образованной в схеме ( рис. 59) проводимостями У.
В последних выражениях h представляет собой масштабный множитель, выбранный произвольно, но так, чтобы получить подходящую величину характеристической проводимости каждого из стержней, обеспечивающую удобные для реализации размеры.
Из выражений ( 262) и ( 263) видно, что чем больше проводимость отрицательной обратной связи G0 и характеристические проводимости ( Зк.
Через G и В здесь обозначены активная и реактивная проводимости полого резонатора в плоскости эквивалентного представления, выраженные в относительных единицах через характеристическую проводимость входной линии.
Для анализа и расчета высокочастотных усилительных схем необходимо знать аналитические выражения или иметь графическое представление зависимостей от частоты активной и реактивной составляющих ( модуль и фазу) характеристических проводимостей. В настоящее время для транзисторов существует несколько способов представления характеристических проводимостей. Среди них наиболее широко распространено: 1) представление модуля и фазы У-пара-метров в зависимости от частоты в виде графиков; 2) представление характеристических проводимостей в виде моделей, состоящих из пассивных двухполюсников; 3) выражение активной и реактивной составляющих характеристических проводимостей через сопротивления и емкости высокочастотной эквивалентной схемы.
Пусть элементы ft f ( 4, о) имеют разные длины и одинаковые характеристические проводимости, тогда fjf2 f ( A h, ), т.е. при последовательном соединении получается клетка суммарной длины, имеющая ту же характеристическую проводимость.
Предположим, что характеристические проводимости Уб.
Для анализа и расчета высокочастотных усилительных схем необходимо знать аналитические выражения или иметь графическое представление зависимостей от частоты активной и реактивной составляющих ( модуль и фазу) характеристических проводимостей. В настоящее время для транзисторов существует несколько способов представления характеристических проводимостей. Среди них наиболее широко распространено: 1) представление модуля и фазы У-пара-метров в зависимости от частоты в виде графиков; 2) представление характеристических проводимостей в виде моделей, состоящих из пассивных двухполюсников; 3) выражение активной и реактивной составляющих характеристических проводимостей через сопротивления и емкости высокочастотной эквивалентной схемы.
Таким образом, в области высоких частот или при работе с импульсными сигналами период колебаний или же время нарастания и спада импульсного напряжения ( длительность фронтов импульса) могут быть весьма малы, так что их величины будут соизмеримы с временем протекания физических процессов в транзисторе. В этих условиях появляются фазовые сдвиги между напряжениями и токами в приборе, характеристические проводимости транзистора становятся комплексными величинами, изменяются по величине другие параметры прибора и, что особенно важно, коэффициент передачи тока. Уменьшение с ростом частоты коэффициента передачи тока а обусловлено в основном уменьшением двух его компонентов: коэффициента инжекции у и коэффициента ап переноса дырок через базу.
На рис. 31, а, б, в, г представлены схемы эквивалентов четырех характеристических проводимостей Уб.

При рассмотрении работы лампы на высоких частотах ( § 4 - 6) было показано, что характеристические проводимости лампы вследствие влияния инерции электронов и распределенных реактивностей становятся комплексными величинами.
Второй способ представления характеристических проводимостей заключается в моделировании характеристических проводимостей транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером. Этот метод основан на подборе, обычно при помощи мостовых схем, такой комбинации активных сопротивлений, емкостей и индуктивностей, полная проводимость которой имеет такую же зависимость от частоты, как и исследуемая характеристическая проводимость транзистора. Применяя данный метод, можно определить величины элементов эквивалентов на основании измерений и использовать их в качестве основных расчетных параметров транзистора.
Увеличение частоты усиливаемого сигнала свыше нескольких килогерц приводит к появлению фазовых сдвигов между напряжениями и токами на входе и выходе транзистора, независимо от схемы включения. Эти сдвиги обусловлены, как отмечалось при рассмотрении Z-параметров, емкостью эмиттерного и коллекторного переходов, а также диффузионным характером движения носителей тока. В результате характеристические проводимости транзистора с повышением частоты становятся комплексными.
Термин локальный масштаб здесь подразумевает общий случай, когда характеристическая длина зависит от координаты, А, А ( х), но в случае А, const мы вправе - масштабирование считать глобальной процедурой, одинаковой для всех координат. Введение безразмерной координаты % позволяет скрыть непостоянство А. Структура кабельного уравнения определяется свойством изменчивости характеристической проводимости и если о const, то средний член в уравнении ( 6) исчезает.
Для анализа и расчета высокочастотных усилительных схем необходимо знать аналитические выражения или иметь графическое представление зависимостей от частоты активной и реактивной составляющих ( модуль и фазу) характеристических проводимостей. В настоящее время для транзисторов существует несколько способов представления характеристических проводимостей. Среди них наиболее широко распространено: 1) представление модуля и фазы У-пара-метров в зависимости от частоты в виде графиков; 2) представление характеристических проводимостей в виде моделей, состоящих из пассивных двухполюсников; 3) выражение активной и реактивной составляющих характеристических проводимостей через сопротивления и емкости высокочастотной эквивалентной схемы.
Для анализа и расчета высокочастотных усилительных схем необходимо знать аналитические выражения или иметь графическое представление зависимостей от частоты активной и реактивной составляющих ( модуль и фазу) характеристических проводимостей. В настоящее время для транзисторов существует несколько способов представления характеристических проводимостей. Среди них наиболее широко распространено: 1) представление модуля и фазы У-пара-метров в зависимости от частоты в виде графиков; 2) представление характеристических проводимостей в виде моделей, состоящих из пассивных двухполюсников; 3) выражение активной и реактивной составляющих характеристических проводимостей через сопротивления и емкости высокочастотной эквивалентной схемы.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11