Большая техническая энциклопедия
2 7
A V W
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
УБ УГ УД УЗ УК УЛ УМ УН УО УП УР УС УТ УЧ УЯ

Условие - нейтральность

 
Условие нейтральности выполняется при симметричном отстоянии контактных винтов и полюсных наконечников от оси симметрии, проходящей через точку вращения ( закрепления) якоря реле.
Изменение выхода по току кислотности ( щелочности от величины рН раствора Na2So4 в электрореакторе с неактивной диафрагмой при концентрации соли / - 5 0 г / л. 2 - 1 0 г / л. 3 - 0 05 г / л. Условием нейтральности воды при 25 С является поддержание рН 7 0 и Eh - f0 404 В.
В силу условия нейтральности добавление константы к обоим равенствам не меняет величины электростатической энергии.
Это является условием нейтральности.
Это следует из условий нейтральности п - РПО-ро, откуда для рассматриваемого нами случая п ар.
В водных растворах условием нейтральности является, очевидно, взаимное равенство концентраций ( или, более строго, активностей) Н - и ОЬГ-ионов при данной температуре.
В водных растворах условием нейтральности является, очевидно, взаимное равенство концентраций ( или, более строго, активностей) Н - и ОН - - ионов при данной температуре.
Следовательно, чтобы удовлетворялось условие нейтральности, разность ( n nt) - ( p pt) Должна быть равна концентрации пустых центров рекомбинации при освещении.
При нарушении термодинамического равновесия условия нейтральности (1.94) и (1.95) вне ОПЗ выполняются приближенно, поэтому говорят не об идеальной нейтральности зарядов, а о приближенной нейтральности, или, как ее еще называют, квазиэлектронейтральности. Небольшое ( по сравнению с полем в ОПЗ) электрическое поле в квази-электронейтральных областях существует. Но если количество инжектированных неосновных носителей заряда много меньше, чем основных ДрС 0, Дя рРо ( низкий уровень инжекции), то влияние этого поля на движение неоснс зных носителей заряда ничтожно мало. В таких условиях неосновные носители перемещаются как бы незаряженные частицы, т.е. только за счет диффузии.
Однако в поверхностных слоях кристалла условие нейтральности может и не выполняться. Если кристаллы находятся в контакте с другой конденсированной фазой, то пространственный заряд может возникать в любой из фаз, при этом заряд на поверхности будет уменьшаться. К этому типу относится система двух одинаковых кристаллов, находящихся в непосредственном контакте друг с другом и отличающихся только содержанием дефектов.
Следует также отметить, что условие нейтральности объемного заряда, использованное в приведенном выше выводе, применимо и для умеренных уровней инжекции.
К чему сводится в этом случае условие нейтральности.
Влияние постоянной концентрации примесных доноров или акцепторов ( F на концентрацию собственных дефектов в германии. Сплошные линии и символы над прямой, не заключенные в круглые скобки, относятся к случаю, когда F донор. штрих-пунктирные линии и сплошные линии с расположенными над ними символами в круглых скобках относятся к случаю, когда F - акцептор. пунктирные линии обозначают концентрацию дефектов при отсутствии примеси ( и выше температуры плавления Т [. Поскольку взаимодействие связано только с изменением условия нейтральности, то и влияние атомов примеси на собственные дефекты при этом исчезнет.

При температурах, лежащих за точкой пересечения, упрощенное условие нейтральности п - р не выполняется.
Соотношение между хпп и х Пр получается при условии нейтральности полного объемного заряда.
В другом крайнем случае, когда Ке KV, условие нейтральности имеет вид х о жхр.
Таким образом, ф0 зависит от б и через условие нейтральности - от пространственного заряда в кристалле.
В другом крайнем случае, когда Ке СД с, условие нейтральности имеет вид XQ хр.
Во всех рассмотренных выше случаях предполагалось, что должно выполняться условие нейтральности. Это условие является справедливым, когда речь идет об объемных свойствах больших кристаллов.
Возможное решение для рВ2 С, полученное обычным приемом аппроксимации условия нейтральности, показано на рис. XIII. Наклон линий нейтральных дефектов во всей температурной области одинаков, поскольку концентрации дефектов не входят в уравнение нейтральности и определяются только условиями равновесия кристалл - пар.
Конечно, переход кажется еще более резким в результате применения приближенного условия нейтральности. Но даже и при точном решении переход происходит в узкой области значений R. Это указывает на то, что имеется лишь небольшое различие в свободной энергии кристалла с избытком А и В, равным Ks / 2 ( рис. XIII. В результате фактически нельзя приготовить кристаллы с воспроизводимым отклонением от стехиометрии меньше, чем Ks или К, как бы малы они ни были. Влияние этого факта на фазовые диаграммы рассматривается в разделе XV.2. Состояние, соответствующее рис. XIII. Однако, по существу, в любом случае принимают участие оба механизма проводимости.
В варианте а) число свободных электронов в ячейке фиксировано условием нейтральности в среднем, а варианту б) соответствует строго нейтральная ячейка с постоянным полным числом электронов.
Когда примесные атомы создают заряженные центры, их концентрации входят в условие нейтральности и поэтому могут оказывать влияние на концентрацию заряженных собственных дефектов кристалла. Грубо говоря, общий эффект от присутствия примесных атомов двух разных типов представляет собой алгебраическую сумму эффектов для примесных атомов каждого типа. При одинаковых зарядах примесных центров ( например, если оба они являются либо донорами, либо акцепторами) эффекты складываются; при противоположных зарядах ( одна примесь - донор а другая - акцептор) эффекты вычитаются; если суммарный заряд равен нулю, то эффект отсутствует.
Зависимость сил отталкивания от расстояния между частицами при Ux 2, с 0 01 моль. л и % const ( 1 T JO const ( 2. Фа1 const ( 3, а const ( 4 ( пунктир - с 0 1 моль / л.| Зависимость полной энергии V ог расстояния при г const. ДЭС, приходящийся на 1 см. поверхности и равный ( по условию нейтральности) заряду плотной части ДЭС.
Если предложенная выше модель правильна, то при средних температурах, когда условие нейтральности в чистом теллуре описывается равенством п р ( см. разд. В конце концов это может привести к тому, что иод в целом будет действовать как донор. Такой результат, вероятно, можно получить при выращивании кристаллов теллура методом химических транспортных реакций с использованием иода в качестве транспортирующего агента.
Зависимость концентрации дефектов от активности доноров при постоянной. Если же количество атомов акцептора в кристалле настолько велико, что они определяют условие нейтральности ( рис. XI 1.2, б), то растворимость любой из примесей увеличивается в присутствии другой при всех концентрациях донора.

Взаимное влияние собственных и примесных дефектов путем образования ассоциатов и в связи с изменением условия нейтральности часто наблюдается одновременно. Однако для простоты рассмотрим сначала гипотетический случай ассоциации, когда предполагается, что все дефекты электронейтральны и поэтому взаимодействие по второму типу невозможно. Примесные атомы размещаются в узлах решетки кристалла.
Из рисунка виден характер изменения концентрации заряженных вакансий в области, где примесные атомы определяют условие нейтральности: уменьшение концентрации в случае доноров и увеличение ее в случае акцепторов. Особенно велико влияние примесных атомов на концентрацию дважды заряженных вакансий.
Энергетическая схема кристалла простого вещества М с вакансиями VM, способными принимать по два электрона, и примесными атомами FM, которые могут отдавать по одному электрону. Множитель 2 возникает в связи с наличием у У м двойного отрицательного заряда, Это условие нейтральности можно аппроксимировать шестью разными способами. Предположим, что выполняются такие условия, при которых равновесные концентрации собственных дефектов в чистом кристалле представлены на левой стороне рис. XI.
Выше рассматривался вопрос о распределении концентрации неосновных носителей в предположении, что в силу реализации условия нейтральности заряд неосновных носителей всегда компенсируется соответствующим перераспределением основных носителей. Это означает, что всюду, где существуют неравновесные неосновные носители, имеется равная им концентрация избыточных ( неравновесных) основных носителей. Таким образом, изображенное на рисунках 163 и 164 распределение концентрации неосновных носителей с полным основанием может рассматриваться и как распределение неравновесных основных носителей.
При условиях эксперимента ( Тсгуй1 - - 500 С, Tzn - - 450 С) условие нейтральности в чистом ZnO, очевидно, будет определяться соотношением п - [ V6 ] ( см. разд. Внедрение лития в ZnO, очевидно, должно происходить как в междоузлия, так и в замещенные узлы; при этом концентрация Li. Только при этом условии можно действительно ожидать наблюдаемое на опыте увеличение концентрации электронов.
Зависимость Длст от величины / для германия. До сих пор мы всюду предполагали, что концентрация ловушек М столь мала, что в условии нейтральности (22.19) можно не учитывать связанного с ними заряда.
Точное вычисление всех концентраций является трудоемким делом, но в то же время приближенные решения получить легко, если аппроксимировать условие нейтральности, ограничившись наибольшими слагаемыми.
Зависимость концентрации дефектов от концентрации акцепторов при постоянной температуре. кристалл простого вещества находится в равновесии со второй фазой, содержащей атомы донора, активность которого постоянна. Случай, когда доноры и акцепторы ассоциируют. XI 1.6. Как и раньше, имеются три области, каждая из которых характеризуется тремя приближенными уравнениями, относящимися к условию нейтральности, балансу А и балансу D. Из рисунка видно, что характер изменения концентрации ассоциата аналогичен изменению концентрации нейтрального AM на рис. XI 1.4. Это и неудивительно, поскольку оба эти дефекта являются ассоциатами AM с положительным дефектом: Ьг в случае AM и DM в случае ( AMDM) X. При низких [ AJtot доля ассоциатов мала; в области II она увеличивается ив области III равна единице.
Рассмотрим, например, колебания ионов в металлическом натрии, происходящие на фоне равномерно распределенного в пространстве отрицательного заряда, обеспечивающего условие полной нейтральности образца. В сущности это задача, обратная той, которая решалась ранее в модели желе. Пусть электронное облако заморожено так, как было только что указано. Тогда характерная частота колебаний ионов есть не что иное, как ионная плазменная частота. Обозначим массу и заряд иона через М и ze соответственно, а среднюю концентрацию ионов - через пг.
Кстати можно упомянуть, что концентрация F-центров в легированных и чистых кристаллах одинакова, причем даже тогда, когда легирующая добавка определяет условие нейтральности. В работах [76, 78] экспериментально показано, что концентрация F-центров действительно не зависит от присутствия примеси.
Если, следуя Шоттки 25 считать, что числа N A, NA, N B, N B связаны друг с другом условием нейтральности ( 41), Определение каждого из них в отдельности методом, рассмотренным в § 3 для одноатомного кристалла, оказывается невозможным; оно привело бы нас к значениям этих чисел, несовместимым с условием нейтральности.
Полученные результаты приводят к прежнему выводу: дефекты начинают влиять на растворимость друг друга с того момента, когда становится заметной их роль в условии нейтральности, причем если они имеют заряды противоположного знака, то растворимость одной примеси в присутствии другой увеличивается; в противоположном случае растворимости обоих дефектов уменьшаются.

Задача определения основного состояния сводится к определению абсолютного минимума ( 108) по Qk и qk при ограничениях 0 qk gn - 2п27гп и условии нейтральности ячеек.
Положение с сильными кислотами несколько отличается от рассмотренных случаев, так как, согласно соотношению (IV.53), концентрация АсН всегда является линейной функцией от рдсн независимо от путей достижения условия нейтральности.
Теперь можно приступить к расчету зависимости пространственного заряда от значений выбранных нами величин 9Р и р - Невозможно, однако, выбрать рр и 9 независимо, так как в глубине полупроводника должно соблюдаться условие нейтральности, поэтому если известен один электрохимический потенциал, то определен и другой.
Если, следуя Шоттки 25 считать, что числа N A, NA, N B, N B связаны друг с другом условием нейтральности ( 41), Определение каждого из них в отдельности методом, рассмотренным в § 3 для одноатомного кристалла, оказывается невозможным; оно привело бы нас к значениям этих чисел, несовместимым с условием нейтральности.
Условие нейтральности можно считать выполненным в том случае, если плотности положительного и отрицательного зарядов распределены по объему проводника с макроскопической точки зрения непрерывно и в каждой точке этого объема уравновешивают друг друга. Распределение точечных зарядов привело бы к наличию дипольного момента, поэтому и необходимо предположить, что плотность заряда не имеет особенностей.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11