Большая техническая энциклопедия
2 7
A V W
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
ВА ВВ ВЕ ВЗ ВИ ВК ВЛ ВН ВО ВП ВР ВС ВТ ВУ ВХ ВЫ ВЯ

Водоохлаждаемый анод

 
Водоохлаждаемый анод 9 находится в магнитной катушке 11 ] он отделен от катода промежуточным водоохлаждаемым электродом 7, отделенным изоляторами от обоих электродов.
В насосах с водоохлаждаемым анодом в отличие от диодных неохлаждаемых насосов высокое отрицательное напряжение подается на катоды, изолированные от корпуса, а анод насоса заземлен.
С целью обеспечения стойкости плоского анода при работе с водородосодержащими смесями применяется вращающийся водоохлаждаемый анод.
Торированный вольфрамовый катод диаметром 3 2 мм центрирован в вертикальном положении в слегка коническом отверстии диаметром 6 35 мм медного водоохлаждаемого анода.
Верхняя часть камеры закрыта водоохлаждаемым фланцем 12 с внутренними каналами 13 для ввода UFe. Водоохлаждаемый анод 9 находится в магнитной катушке 11; он отделен от катода промежуточным водоохлаждаемым электродом 7, отделенным изоляторами от обоих электродов.
Конструкция плазмотрона с тангенциальной подачей плазмообразующего газа.| Схема плазменной печи для плавки слитков в кристаллизатор. Стенки камеры 2 выполнены из изоляционного материала; вводимый газ охлаждает их, и при правильной конструкции стенки не перегреваются. Медный водоохлаждаемый анод 3 со вставкой из тугоплавкого металла замыкает полость вихревой камеры. Струя плазмы входит в камеру смешения из сопла 3, куда могут подаваться продукты обработки в виде газа или порошка.
Схема установки Булат-ЗТ. Установка, используемая в процессе HCD, состоит из пушки, дающей электронный пучок, который отклоняют на медный под с помощью слабого магнитного поля. Через танталовую трубку полого катода вводят аргон. Между водоохлаждаемым анодом и катодом подается напряжение 50 В при силе тока 130 А. На графитовую подкладку толщиной 6 мм, размещенную на поде устанавливают титановую лепешку массой 30 г. Давление аргона 0 1 Па, скорость осаждения TiC - 0 2 мкм / мин. Температура подложки 650 С, а в качестве газа-реагента предпочтительнее использовать метан или этилен, в то время как применение ацетилена приводит к загрязнению стенок вакуумной камеры и тыльной стороны подложки. Методами рентгеновской дифрактометрии и Оже-спектро-скопии установлено, что путем выбора соответствующих условий осаждения может быть получена пленка TiC стехиометрического состава.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2014
словарь online
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11