Большая техническая энциклопедия
1 2 3 4 6
C J W Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я
ХА ХВ ХИ ХЛ ХО ХР ХУ ХЬ ХЭ

Характеристика - пентод

 
Характеристики пентодов и лучевых тетродов справедливы лишь для данного напряжения на экранирующей сетке. При переходе к другому экранному напряжению эти характеристики будут уже неверны.
Характеристики пентодов существенно отличаются по форме от характеристик трехэлектродных ламп.
Анодно-оеточные характеристики пентода, снятые даже пр сильно различающихся анодных напряжениях, идут очень близко друг к другу, так что использование их для расчета параметров лампы затруднительно.
Почему характеристики пентода следует снимать при иа 50 В.
Распределение потенциала между электродами пентода при Ua Ug. 2.| Анодно-сеточные и анодные характеристики пентода. Особенности характеристик пентода видны из рис. 5.8, где они изображены в системе координат Ia, U Д1, и в системе I a, Ua, В системе координат ja, Ugl имеется только одна характеристика, так как благодаря большому коэффициенту усиления пентода напряжение на аноде мало влияет на положение характеристик, и они сливаются в одну.
Распределение электронов ( а и потенциала ( б в лучевом тетроде. Они похожи на характеристики пентодов, но имеют некоторые особенности. Переход из области / в область II получается более резким.
Как изменяется положение анодно-ееточных характеристик пентодов при изменении напряжения на экранирующей сетке.
Анодные ( выходные) характеристики пентода ( рис. 3.15) аналогичны по форме коллекторным характеристикам транзистора. Положение рабочей точки зависит от напряжения ыс на управляющей сетке.
Анодные и экранно-анодные характеристики тетрода. На рис. 134 приведены типичные анодные и экранно-анодные характеристики пентода. Пентоды в настоящее время применяются очень широко, в частности они полностью заменили тетроды в высокочастотных трактах приемно-усилительных схем.
Конструктивные особенности и вид характеристик приемно-усилительных пентодов позволяют разделить их на две группы: высокочастотные и низкочастотные.
Анодные характеристики пентодов ( а, б. На рис. 11 6 показаны характеристики пентода, у которого витки управляющего электрода имеют неравномерный шаг. Анодно-сеточная характеристика такого пентода нелинейна и удлиненна.

Характеристики лучевых тетродов близки к характеристикам пентодов.
Стоковые характеристики полевого транзистора с управляющим р - - переходом ( канал п - типа. В своей правой части они напоминают характеристики пентода, а в левой части идут в виде веерного пучка прямых линий, проходящих через нуль. Такой ход характеристик легко объяснить. Левая веерообразная часть соответствует более или менее суженному каналу, а правая часть - каналу с очень малым, почти нулевым поперечным сечением.
В справочниках по радиолампам обычно приводятся характеристики пентодов, снятые при каком-то одном напряжении на экранирующей сетке.
Анодно-се - [ IMAGE ] 6 - 51. Зависи. На рисунке для сравнения проведена пунктиром характеристика обычного пентода. Пентоды с удлиненной характеристикой применяются в тех случаях, когда необходимо в широких пределах менять усиление сигнала.
Рис - 9 - 3 Типичны анидные характеристики пентода.
Изменение сече - [ IMAGE ] Конструкция текнетро. Выходные ВАХ полевого транзистора очень похожи на характеристики пентода.
На рис. 5.2 изображена схема для снятия характеристик пентода при положительно заряженной управляющей сетке. Ползунки потенциометров находятся в среднем положении.
В различных схемах используется сильная зависимость формы характеристики пентода от напряжений второй и третьей сеток. Анодный ток и наклон характеристики S пентода изменяются пропорционально напряжению второй сетки. Это объясняется влиянием напряжения второй сетки на распределение поля в пентоде. Подобное действие оказывает и напряжение третьей сетки.
Влияет ли напряжение экранирующей сетки на крутизну характеристики пентода.
Л-22 могут изменять положение рабочей точки на характеристике пентода лампы Л4 - з, что может привести к неприятным скачкообразным изменениям размера и линейности изображения по вертикали и подергиванию-верхней части растра.
Анодные и анодно-сеточные характеристики лучевого тетрода подобны характеристикам мощных пентодов. Эти лампы имеют ббль-шую допустимую мощность рассеяния анода и применяются в электронных генераторах и усилителях мощности. Преимуществом лучевого тетрода по сравнению с пентодом является меньший ток экранирующей сетки ( 8 10 % от 1а), так как электронный поток сфокусирован и проходит в нейтральней части - сеточных отверстий.

Различие характеристик заключается также в том, что характеристики пентода, построенные через равные интервалы напряжения на управляющей сетке, идут более часто в нижней части, тогда как характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ, идут через равные интервалы, а характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ, сгущаются вверху.
В схеме усилителя рис. 244 предполагается, что характеристика пентода Р имеет крутизну gm 5 ма / в, внутреннее сопротивление, равное бесконечности, и пренебрежимо малые паразитные емкости.
Правильный выбор конструкций всех трех сеток позволяет получать характеристики пентодов, близкие по форме к характеристикам лучевых тетродов.
При расчете усилителя на пентоде следует учитывать нелинейность характеристик пентода и зависимость его параметров от режима работы.
Основной особенностью расчета усилителя на пентоде является учет нелинейности характеристики пентода и зависимости его параметров от режима работы. Это затрудняет идеализацию характеристик и делает невозможным анал.
L const, L / aconst называется статической анод но-сеточной характеристикой пентода по третьей сетке. Например, если UciUci3an, то / а0 и крутизна 5з при любом значении Uc3 также обращается в нуль. При Uсз0 получается обычная анодно-сеточная характеристика пентода. Таким образом, можно считать, что при двойном управлении анодным током в пентоде один из сигналов усиливается как обычно, а другой управляет крутизной.
Изложенная здесь теория электронных процессов в пентоде хорошо объясняет форму характеристик пентода и позволяет для некоторых, практически важных режимов вычислить его параметры. УКЗЗЗНМЯ о 5лпя нии структуры сеток и их расположения на величину коэффициента токораспределения, на эффективность подавления динатронного эффекта и, наконец, на форму переходного участка характеристики между пологой и крутой ее частями, или, как мы будем говорить, на резкость перелома характеристики. Все эти вопросы имеют значение при работе пентода в схеме. Например, в любом пентоде желательно добиться возможно более крутого подъема анодной характеристики на протяжении наименьшего возможного интервала значений i / a и тем самым увеличить протяженность пологого участка характеристики и уменьшить внутреннее сопротивление в пределах круто поднимающегося участка.
Характеристики пентода.| Влияние сопротивления нагрузки на положение рабочей точки пентода. При небольших анодных напряжениях ток анода начинает резко уменьшаться, и характеристики пентода сильно искривляются. Это явление обусловлено пере -, распределением тока эмиссии & между анодом и экранирующей сеткой. Нелинейность характеристик при малых анодных напряжениях, а также непостоянство ц, при различных напряжениях на управляющей сетке могут вызвать значительные нелинейные искажения. Это обстоятельство является недостатком пентода при его использовании в усилителях мощности. Вместе с тем пентод характеризуется значительно большим коэффициентом усиления, чем триод. Это позволяет снизить амплитуду сигнала на сетке.
Электронная пушка электроннолучевой трубки с электростатической фокусировкой. Статическая характеристика полевого транзистора ( рис. 2 - 44) подобна характеристике пентода. Электрические свойства этих элементов также схожи.
Обращаясь к анодным характеристикам, можно заметить, что расстояние между характеристиками пентода в системе Ia f ( Ua) по вертикали при равных интервалах сеточного напряжения разное.
По полученным координатам строят новое семейство характеристик, которые будут являться характеристиками пентода при новом значении напряжения на экранирующей сетке и при значе - ниях напряжения на управляющей сетке, измененных в Fu раз.
Транзисторная схема с общим эмиттером. а - схема, б - входные базовые характеристики, в - выходные коллекторные характеристики при разных токах базы.
Выходные коллекторные характеристики плоскостного транзистора в схеме с общей базой ОБ напоминают характеристики идеального пентода. В связи с тем, что обратный ток диода мало зависит от обратного напряжения, коллекторный ток мало зависит от величины включенного последовательно в цепь коллектора сопротивления нагрузки и от внешнего напряжения питания коллектора. Нелинейные ис кажения, вносимые этими характеристиками, чрезвычайно малы. При токе эмиттера, равном нулю, тепловой ток коллектора / ко очень мал ( 2 - 10 мка), но он возрастает вдвое при увеличении температуры а 10 С.
Заметим, что выходные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером аналогичны характеристикам пентода.
Определение параметров триода. Так как в современных тетродах динатронный эффект отсутствует, их характеристики аналогичны характеристикам пентода. Отличие заключается в том, что ввиду отсутствия третьей сетки линия критического режима всегда проходит через начало координат, так же как и для триода.
Устройство, схема включения ( а и выходные характеристики ( б канального транзистора. Выходные характеристики канального транзистора изображены ла рис. 11.366. По форме они похожи на характеристики пентода.
Сравнить характеристики плоскостного триода, показанные на рис. 2.7 и 2.8, с характеристиками лампового пентода. Рассмотреть общие различия между характеристиками двух приборов; какие видоизменения в конструкции схемы являются существенными при переводе на кристаллические схемы на ламповом пентоде.
При замене пентода одного типа другим нужно иметь в виду следующее: если крутизна характеристики заменяющего пентода меньше, чем заменяемого, то коэффициент усиления каскада уменьшится. Если новая лампа обладает большей крутизной характеристики, чем заменяемая, то и усиление будет больше, но возможно самовозбуждение схемы. Поэтому такая замена возможна не всегда. В усилителях НЧ пентоды с удлиненной характеристикой применять не рекомендуется. Обратная замена в усилителях ВЧ приводит обычно к ухудшению работы системы автоматической регулировки усиления.
Определить усиление, даваемое пентодом при работе на нагрузочное сопротивление 80 ком, если крутизна характеристики пентода 55 ма / в, а внутреннее сопротивление переменному току RI 0 8 Мом.
Используя анодно-сеточные характеристики пентода 6П14П ( см. рис. 13.18), покажите, зависит ли крутизна характеристики пентода от анодного напряжения.
Используя анодно-сеточные характеристики пентода 6П14П ( см. рис. 13.18), покажите, зависит ли крутизна характеристики пентода от анодного напряжения.
Токи анода и сеток в лампе являются функциями четырех напряжений U &, UQ, Uci, Uca Поэтому семейство характеристик пентода представляет собой зависимость одного тока от какого-либо из упомянутых напряжений при постоянных остальных, причем одно из них выбрано в качестве параметра семейства.
К выбору режима работы каскада на полевом транзисторе. Построение.| К выбору режима работы каскада на полевом. Как видно из рис. 3.28, стоковые характеристики имеют два качественно отличных участка: - начальный крутой участок ( так называемый триодный - по сходству с характеристиками лампового триода), соответствующий малым напряжениям на стоке, и его продолжение - пологий участок ( так называемый пентодный - по сходству с характеристиками пентода), соответствующий большим значениям стокового напряжения. Здесь же пунктиром указана линия, примерно разделяющая эти участки.
Примерные анодно-сеточные и сеточные ( по второй сетке характеристики пентода.
Семейства анодно-сеточных характеристик тетродов и пентодов имеют вид веерообразно расходящихся из одной точки кривых. Характеристики пентодов лежат в более узкой области, чем у тетродов; это объясняется тем, что коэффициент токораспределения у пентодов меняется меньше при увеличении анодного напряжения, чем у тетродов.
Цоколевка выходных тетродов и пентодов, триод-пентодов, частотопреобразовательных ламп и электронносветовых индикаторов. При этом значительно уменьшается междуэлектродная, особенно проходная, емкость ( до 0 003 - 0 006 пФ), а внутреннее сопротивление возрастает до 0 5 - 2 МОм. Крутизна характеристик пентодов увеличена до 5 - 8 мА / В и более, что позволяет получить значительное усиление.
На рис. 30 представлены выходная ( а) и входная ( б) характеристики транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Она подобна характеристике пентода, у которого в качестве параметра используется входной ток, а не напряжение. Положение и наклон нагрузочной характеристики транзистора определяются величиной нагрузки и режимом его работы.
 
Loading
на заглавную 10 самыхСловариО сайтеОбратная связь к началу страницы

© 2008 - 2017
словарь online
электро бритва
словарь
одноклассники
XHTML | CSS
Лицензиар ngpedia.ru
1.8.11